注意事項
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汎用シリコントランジスタ「BC550 C」です
on semiconductor 社製になります
■主な仕様
接合構造 :NPN
パッケージ :TO-92
コレクタ・ベース間電圧 V CBO :50V
コレクタ・エミッタ間電圧 V CEO :45V
エミッタ・ベース間電圧 V EBO :5V
コレクタ電流 Ic :100mA
ドレーン損失 PD :500mW
直流電流増幅率 hFE :min420〜max800
トランジション周波数 fT: 300MHz
雑音指数 NF :max 4.0dB
Made in CHINA
詳しいスペックシートはこちらをダウンロードしてご利用下さい
https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/bc550c-d.pdf
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